| 发明名称 | 利用两亲性非离子表面活性剂的CMP法 | ||
| 摘要 | 本发明提供抛光基材的方法，包括：(i)将包含至少一含铜金属层的基材与化学-机械抛光(CMP)系统接触，及(ii)研磨至少一部分的该含铜金属层，以抛光该基材。该CMP系统包含(a)研磨剂、(b)两亲性非离子表面活性剂、(c)氧化该金属层的方式、(d)有机酸、(e)抗蚀剂及(f)液态载体。本发明还提供抛光基材的两步法，该基材包含第一金属层及不同的第二金属层。第一金属层用包含研磨剂和液态载体的第一CMP系统抛光，而第二金属层则用包含(a)研磨剂、(b)两亲性非离子表面活性剂和(c)液态载体的第二CMP系统抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN100352874C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN03824065.3 | 申请日期 | 2003.09.29 |
| 申请人 | 卡伯特微电子公司 | 发明人 | 戴维·J·施罗德;凯文·J·莫根伯格;霍默·乔;杰弗里·P·张伯伦;约瑟夫·D·霍金斯;菲利普·W·卡特 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种抛光基材的方法，包括：(i)将包含至少一含铜金属层的基材与抛光垫和化学-机械抛光组合物接触，该抛光组合物包含：(a)平均初级粒子尺寸为100纳米或更大的研磨剂，(b)包含头基团及尾基团且HLB值大于6的两亲性非离子表面活性剂，其中所述头基团选自聚硅氧烷、四-C1-4-烷基癸炔、聚氧丙烯、聚乙烯，(c)氧化含铜金属层的方式，(d)有机酸，(e)抗蚀剂，和(f)液态载体；及(ii)将抛光垫相对于基材移动，所述化学-机械抛光组合物位于抛光垫和基材之间；(iii)研磨至少一部分含铜金属层以抛光基材。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||