发明名称 | 制造微电子电路的方法和微电子电路 | ||
摘要 | 本发明涉及制造微电子电路的方法及微电子电路。本发明提供一种制造微电子电路的方法,其具有至少一种单芯片集成线圈做为电传导组件。根据该方法,提供一种具有该电传导组件及位于该电传导组件上的保护层之已完成制造的微电子电路;在该电传导组件上的保护层的至少一部份被移除;以及一个金属层,以该金属层被电耦合至该电传导组件的方式被涂布在该电传导组件顶部上。 | ||
申请公布号 | CN100353492C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
申请号 | CN01816841.8 | 申请日期 | 2001.10.04 |
申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | C·劳特巴奇;C·保鲁斯 |
分类号 | H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
主权项 | 1.一种制造具有改善电传导组件的微电子电路的方法,其中所述改善电传导组件是由至少一个单芯片集成线圈所制成,其特征在于,所述方法包含以下步骤:提供一种已加工完成的微电子电路,所述微电子电路具有一单芯片集成线圈及一保护层,而该单芯片集成线圈由埋置于该保护层内、且被该保护层覆盖的金属互相连接处所形成;将在该单芯片集成线圈的所述互相连接处上的该保护层移除,由此暴露所述互相连接处;涂布一个金属层于该单芯片集成线圈的暴露的所述互相连接处上,使得该金属层电耦合至该单芯片集成线圈的该互相连接处,由此增厚所述互相连接处以增加所述互相连接处的电传导性;以及移除部分金属层,使得剩下的金属层直接位于该单芯片集成线圈的上方。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |