一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法

摘要

一种用于锗晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；pH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的pH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。所述抛光液的制备方法是：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明的优点是：抛光速率快，平坦度好；粒径小，晶片表面损伤小；抛光液制备简单，容易操作。

主权项

1.一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；PH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的PH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。