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发明名称 MOSFET with Schottky source and drain contacts and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1469525(A3) 申请公布日期 2007.12.05
申请号 EP20030258260 申请日期 2003.12.31
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 CHEONG, WOO SEOK;JANG, MOON GYU;LEE, SEONG JAE
分类号 H01L29/78;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/47;H01L29/786;H01L29/812 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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