| 发明名称 | 抛光垫 | ||
| 摘要 | 一种用于平整半导体基体的抛光垫。该抛光垫包含孔隙度为至少0.1体积％、在40℃和1rad/sec下KEL能量损耗因子为385至750 l/Pa以及在40℃和1rad/sec下模量E′为100至400MPa的聚合物材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100353502C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200410010483.X | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | D·B·詹姆斯;M·J·库尔普 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种用于平整半导体基体的抛光垫，该抛光垫包含孔隙度为至少0.1体积％、在40℃和1rad/sec下KEL能量损耗因子为385-750 l/Pa以及40℃和1rad/sec下模量E′为100-400MPa的聚氨酯聚合物材料，该聚氨酯聚合物材料由甲苯二异氰酸酯和聚四亚甲基醚乙二醇的预聚反应产物与4，4′-亚甲基-双-邻氯苯胺形成，且该预聚反应产物具有5.5-8.6重量％的NCO和80-110％的NH2与NCO化学计量比。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||