半导体器件及其制造方法

摘要

蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：衬底；有源区，它是由在上述衬底上设置的化合物半导体构成的有源区，并且，它是由交替地层叠至少1层第1半导体层和至少2层第2半导体层而构成的，其中，该第1半导体层起到载流子移动区的功能，该第2半导体层包含其浓度比上述第1半导体层的浓度高并作为第1导电型杂质的载流子用杂质，且其膜厚比上述第1半导体层的膜厚薄；至少1个电极，其由从上述有源区的表面侵入到上述有源区内而至少与上述各第2半导体层接触的导体材料构成；在上述有源区上设置的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上设置的栅电极；与上述有源区的下表面相接的第2导电型的基区；以及在上述基区的上表面上设置的、包含其浓度比上述基区的浓度高的第2导电型杂质的接触区，上述至少一个电极与上述有源区的至少第2半导体层接触，并与上述接触区接触，所述半导体器件作为MISFET而发挥功能。