| 摘要 |
개선된 버퍼층을 사용하여 발광 다이오드를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드가 개시된다. 이 방법은 기판 상에 제1 온도에서 500nm 내지 1500nm의 두께를 갖는 질화갈륨계 버퍼층을 형성하는 것을 포함한다. 이어서, 상기 질화갈륨계 버퍼층이 형성된 기판의 온도를 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상승시키어 상기 질화갈륨계 버퍼층을 재결정화시킨다. 그 후, 적어도 두개의 도핑된 질화갈륨계 에피층들이 상기 재결정화된 버퍼층 상에 성장된다. 500nm 이상의 두꺼운 버퍼층을 형성하고, 이를 재결정화함으로써 버퍼층 내의 그레인들이 크게 성장된다. 따라서, 버퍼층 내의 그레인들의 경계면들이 감소하며, 상기 버퍼층 상에 성장되는 에피층의 결함밀도가 감소된다. |
