薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔

摘要

本发明涉及轧制铜箔，进行表面的平滑化处理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面积的薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔。还涉及具有下述特征的薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W组中的至少1种元素的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子附着于经平滑化处理的铜箔上。

主权项

1.薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，轧制铜箔，进行表面的平滑化处理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面积；经平滑化处理的铜箔表面附着有Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素(I)所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W组中的至少1种元素(II)的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子；所述合金粒子中元素(I)的量相对于Cu的含有量1mg/dm2箔，为0.1-3mg/dm2箔，所述混合物中元素(II)的量相对于Cu的含有量1mg/dm2箔，为0.02-0.8mg/dm2箔。