| 发明名称 | 半导体存储器件、局部预充电电路及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体存储器件、局部预充电电路及其方法。示范性半导体存储器件可以包括：通过列选择晶体管与存储单元耦合的位线连接的局部输入/输出线，该局部输入/输出线提供了通过位线将数据信号发送到局部感测放大器的传输路径；和配置成根据活动模式的状态和列选择信号的状态调整局部输入/输出线的预充电电压电平的局部预充电电路。示范性局部预充电电路包括在示范性半导体存储器件内。包括示范性局部预充电电路的示范性半导体存储器件能够根据活动模式的状态和列选择信号的状态调整局部输入/输出线的预充电电压电平，活动模式指字线被启用的间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN101083133A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710108101.0 | 申请日期 | 2007.05.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李舜燮;金大俊;玄东昊 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01);G11C7/06(2006.01) | 主分类号 | G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包含：通过列选择晶体管与和存储单元耦合的位线连接的局部输入/输出线，该局部输入/输出线提供了通过位线将数据信号发送到局部感测放大器的传输路径；和配置成根据活动模式的状态和列选择信号的状态调整局部输入/输出线的预充电电压电平的局部预充电电路。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||