| 发明名称 | 高压侧驱动器的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示一种高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法。高压侧驱动器半导体包括一离子掺杂接面，及形成于离子掺杂接面上的一绝缘层。离子掺杂接面具有多个离子掺杂深阱，且离子掺杂深阱间是部分连接。 | ||
| 申请公布号 | CN200986918Y | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200620136642.5 | 申请日期 | 2006.09.15 |
| 申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋秋志;黄志丰 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种高压侧驱动器的半导体结构，其特征在于包括：一离子掺杂接面，具有多个离子掺杂深阱，这些离子掺杂深阱是部分连接；以及一绝缘层，形成于该离子掺杂接面上。 | ||
| 地址 | 台湾省231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 | ||