| 发明名称 | 一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及其采用该耐压层制作的功率器件，在相同介质埋层厚度的情况下可以提高耐压，而在相同的耐压情况下可以大幅度减小自热效应，从而制作高耐压的SOI功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN200986921Y | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200620035998.X | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 罗小蓉;张波;李肇基;杨寿国;詹瞻 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L29/74(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所 | 代理人 | 徐丰 |
| 主权项 | 1、一种具有双介质埋层的耐压层结构，包括衬底层(1)、介质层(2、14)、有源半导体层(3)、其特征在于：介质层有第一介质层(2)和第二介质层(14)，所述第一介质层(2)与第二介质层(14)之间设有中间层(15)，第一介质层另一侧与有源半导体层(3)相连，第二介质层(14)另一侧与衬底层(1)相连。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路2号 | ||