| 发明名称 | 半导体器件的接触结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体接触结构，包括：一衬底；具有与衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在导电掺杂层上的一导电层；以及形成在衬底中导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。 | ||
| 申请公布号 | CN100353540C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200410057912.9 | 申请日期 | 2004.08.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金俊永;崔秉龙;李银京 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体的接触结构，包括：一衬底；具有与该衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在所述导电掺杂层上的一导电层；及形成在所述衬底中所述导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||