| 发明名称 | 制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置 | ||
| 摘要 | 发明公开一种能够确保使原料充分参与反应的制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置，该装置包括文氏结构腔体的反应室，反应室腔室的上端与等离子体发生装置的离子弧输出通路连通，反应室的上端设有载气输入通路，该通路与反应室的上部设置的载气分配装置相通，该载气分配装置与反应室之间设有沿反应室的内壁自上而下进入反应室内部的载气通路，在环行载气和快速离子弧作用下，使产品颗粒未及时长大时被及时输送，并在高速气流的带动下进入冷却系统，而不会附着在反应室的腔壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN100352761C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN02138262.X | 申请日期 | 2002.09.09 |
| 申请人 | 张芬红 | 发明人 | 张芬红 |
| 分类号 | C01B21/068(2006.01);B01J19/08(2006.01) | 主分类号 | C01B21/068(2006.01) |
| 代理机构 | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 | 代理人 | 汤茂盛 |
| 主权项 | 1、一种制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置，该装置包括一个由石墨管件(10)制成的内壁呈文氏结构腔体的反应室(11)，其外部设有由夹层套管(20)构成的冷却腔(21)，夹层套管(20)上设有便于同等离子体发生装置相连的连接部件(30)，位于连接部件(30)一端的反应室(11)腔室的上端与等离子体发生装置的离子弧输出通路连通，反应室(11)上还设有原料输入管路(60)，其特征在于：所述的反应室(11)的上端设有载气输入通路(40)，该通路(40)与反应室(11)的上部设置的载气分配装置相通，该载气分配装置与反应室(11)之间设有沿反应室(11)的内壁自上而下进入反应室(11)内部的载气通路(51)，所述的载气分配装置包括一个与载气输入通路(40)相通的位于等离子入口周围的环状载气腔(52)，环状载气腔(52)与载气通路(51)连通；所述的载气通路(51)是由环状的圆盘(50)与反应室(11)的腔壁之间以环形间隙方式配合形成的。 | ||
| 地址 | 230031安徽省合肥市青阳路金华工业区3号楼 | ||