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发明名称 METHOD FOR DETERMINING CONDITION UNDER WHICH SILICON SINGLE CRYSTAL IS PRODUCED, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER
摘要
申请公布号 KR100781728(B1) 申请公布日期 2007.12.03
申请号 KR20017012237 申请日期 2001.09.25
申请人 发明人
分类号 C30B29/06;C30B15/00 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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