多晶矽薄膜电晶体及其制造方法

摘要

一种多晶矽薄膜电晶体的制造方法，此方法是先在基底上依序形成图案化闸极导体层、介电层以及非晶矽层，之后，在非晶矽层上形成一层具有裸露出预定形成源极/汲极掺杂区之开口的热滞留层。然后，藉由雷射回火(Laser annealing)制程提供能量给非晶矽层，以形成多晶矽层，其中在开口之间之热滞留层下方的非晶矽层会先熔化再诱发横向长晶形成多晶矽。进行离子植入制程，以在开口所裸露的多晶矽层中形成源极掺杂区与汲极掺杂区。在基底上方形成源极与汲极，以分别与源极掺杂区及汲极掺杂区电性连接。