双闸极非挥发型记忆胞及其操作方法

摘要

一种形成于N型井之双闸极非挥发型记忆胞，至少包含：一第一闸极；一第二闸极；一对NO(氮化层、氧化层)间隙层分别形成于第一闸极及该第二闸极的内侧壁且相连而成U形间隙壁，此U形间隙壁可储存一位元资料；一对ONO(氧化层、氮化层、氧化层)间隙壁分别形成于该第一闸极及该第二闸极之外侧壁；此外，源/汲极及延伸源/汲极皆为具有P型杂质掺杂。