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经营范围
发明名称
记忆装置
摘要
一记忆装置,包括一第一记忆单元区域,其具有一第一栓锁区域,该第一栓锁区域上系建立着一个以上之电子元件以储存一数值,以及一第一周边区域,其环绕着该第一栓锁区域,以及一第二记忆单元区域,其设置于该第一记忆单元区域之一第一边缘的邻近区域并且具有一第二栓锁区域,该第二栓锁区域上系建立着一个以上之电子元件以储存一数值,以及一第二周边区域,其环绕着该第二栓锁区域。该第一记忆单元区域之其中一边缘系移离该第二记忆单元区域与其相对应之边缘。因此,该记忆装置之面积及良率系可调整。
申请公布号
TW200744196
申请公布日期
2007.12.01
申请号
TW095146615
申请日期
2006.12.13
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
谢友岚;黄庆坤;许正东
分类号
H01L27/11(2006.01)
主分类号
H01L27/11(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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