| 主权项 |
1.一种物体形貌的量测装置,至少包含: 一光干涉仪;以及 一资料处理器,用以接收该光干涉仪量测得之一光 干涉条纹图,并以一二次曲线密合法分析该光干涉 条纹图,其中该光干涉条纹图包含复数个资料点。 2.如申请专利范围第1项所述之物体形貌的量测装 置,其中该光干涉仪为一多色光干涉仪。 3.如申请专利范围第2项所述之物体形貌的量测装 置,其中该光干涉仪为一白光干涉仪。 4.如申请专利范围第1项所述之物体形貌的量测装 置,其中该光干涉仪为一Mirau式干涉仪。 5.如申请专利范围第1项所述之物体形貌的量测装 置,其中该光干涉仪为一Michelson式干涉仪。 6.如申请专利范围第1项所述之物体形貌的量测装 置,其中该光干涉仪包含一参考镜面。 7.如申请专利范围第1项所述之物体形貌的量测装 置,其中该二次曲线密合法包含: 对该些资料点至少每三点进行一二次曲线密合的 步骤,而形成复数条二次曲线,其中部分之该些二 次曲线为开口向下的二次曲线; 标定复数个峰点,该些峰点系分别对应于每一该些 开口向下之二次曲线之最大値;以及 对该些复数个峰点进行高斯曲线密合而得一高斯 曲线,并标定该高斯曲线之最大値发生位置。 8.一种物体形貌的量测方法,至少包含: 以一光干涉仪扫描一物体之复数个量测点; 撷取该物体之每一该些量测点之不同探测位置之 干涉强度値而得复数个资料点;对该些资料点至少 每三点进行一二次曲线密合的步骤,而形成复数条 二次曲线,其中部分之该些二次曲线为开口向下的 二次曲线; 标定复数个峰点,该些峰点系分别对应于每一该些 开口向下之二次曲线之最大値;以及 对该些复数个峰点进行高斯曲线密合而得一高斯 曲线,并标定该高斯曲线之最大値发生位置。 9.如申请专利范围第8项所述之物体形貌的量测方 法,其中该光干涉仪为一多色光干涉仪。 10.如申请专利范围第9项所述之物体形貌的量测方 法,其中该多色光干涉仪为一白光干涉仪。 11.如申请专利范围第8项所述之物体形貌的量测方 法,更至少包含: 在获得该些资料点后,进行一滤除杂讯的步骤,藉 以滤除一干涉条纹图之背景光强度,其中该干涉条 纹图系由该些资料点所构成。 12.如申请专利范围第11项所述之物体形貌的量测 方法,其中在进行该滤除杂讯的步骤后,对滤除杂 讯后之该些资料点取绝对値。 13.如申请专利范围第8项所述之物体形貌的量测方 法,更至少包含: 整合该物体之每一该些量测点之该高斯曲线最大 値,建构该物体之一量测形貌。 14.一种物体形貌的量测方法,至少包含: 以一光干涉仪扫描一物体之复数个量测点; 撷取该物体之每一该些量测点之不同探测位置之 干涉强度値而得复数个资料点; 进行一滤除杂讯的步骤,藉以滤除一干涉条纹图之 背景光强度,其中该干涉条纹图系由该些资料点所 构成; 对滤除杂讯后之该些资料点取绝对値; 对该些资料点至少每三点进行一二次曲线密合的 步骤,而形成复数条二次曲线,其中部分之该些二 次曲线为开口向下的二次曲线; 标定复数个峰点,该些峰点系分别对应于每一该些 开口向下之二次曲线之最大値; 对该些峰点进行高斯曲线密合而得一高斯曲线,并 标定该高斯曲线之最大値发生位置;以及 整合该物体之每一该些量测点之该高斯曲线最大 値发生位置,建构出该物体之一量测形貌。 15.如申请专利范围第14项所述之物体形貌的量测 方法,其中该光干涉仪为一多色光干涉仪。 16.如申请专利范围第15项所述之物体形貌的量测 方法,其中该光干涉仪为一白光干涉仪。 图式简单说明: 第1图系绘示绘示依照本发明之较佳实施例之量测 物体形貌之装置。 第2图系绘示依照本发明之较佳实施例之物体之形 貌之量测方法的流程示意图。 第3图系绘示本发明之较佳实施例所撷取得之白光 干涉条纹图。 第4图系绘示本较佳实施例之经滤除杂讯和取绝对 値后之白光干涉条纹图。 第5图系绘示本较佳实施例之之白光干涉条纹图的 峰点分布示意图。 第6A图系绘示应用于本发明之彩色滤光片的平面 图。 第6B图系绘示使用本发明之量测方法量测第6A图之 彩色滤光片所得之三维形貌示意图。 第7A图系绘示应用于本发明之彩色滤光片之一量 测区的平面图。 第7B图系绘示应用于本发明量测之第7A图之量测区 的结果。 |
