| 主权项 |
1.一种用以安装半导体的布线基板,包括: 一绝缘层; 复数个金属线,形成于该绝缘层中; 复数个电极焊垫,其中该些焊垫表面系利用曝露该 绝缘层上表面与下表面以形成,且至少部分之电极 焊垫侧面埋藏于绝缘层中;以及 一介层孔,以使该些金属线与电极焊垫彼此电性连 接。 2.如申请专利范围第1项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该绝缘层包括: 第一绝缘层,设置于该金属线基底之上表面; 第二绝缘层,设置于该金属线基底之下表面;以及 单一或复数个第三绝缘层,设置于该金属线基底之 内部,其中该第三绝缘层,包括: 复数个埋藏式金属线,于该第三绝缘层之上、下表 面;以及 复数个介层孔,以使该金属线上、下表面相互连接 ,该电极焊垫分别露出于该第二绝缘层中之该金属 线基底的上、下表面,且至少部分之该侧表面埋藏 于该第一绝缘层或该第二绝缘层中。 3.如申请专利范围第2项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该第一、第二绝缘层系由相同材料 组成。 4.如申请专利范围第2项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该第一、第二绝缘层系由不同材料 组成。 5.如申请专利范围第2项所述之用以安装半导体的 布线基板,更包括一具有金属线以及介层孔之第四 绝缘层,该第四绝缘层至少设置于该第一、第三绝 缘层之间或该第二、第三绝缘层之间。 6.如申请专利范围第5项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该第一、第二绝缘层至少之一系由 应力高于该第三、第四绝缘层之材料所形成。 7.如申请专利范围第5项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该第一、第二绝缘层至少之一系由 热膨胀系数低于该第三、第四绝缘层之材料所形 成。 8.如申请专利范围第5项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该第一、第二绝缘层至少之一系由 弹性系数低于该第三、第四绝缘层之材料所形成 。 9.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以安 装半导体的布线基板,其中该电极焊垫之露出表面 设置于与该绝缘层之上、下表面同一水平面上。 10.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,其中该电极焊垫之露出表 面设置于该绝缘层上、下表面之凹陷位置中。 11.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,其中该电极焊垫之露出表 面设置于该绝缘层上、下表面之突出位置中。 12.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,其中该电极焊垫之部分露 出表面以该绝缘层覆盖。 13.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,更包括一支撑体设置于该 绝缘层上、下表面至少之一。 14.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,更包括一焊锡阻隔层设置 于该绝缘层之上下表面至少之一。 15.如申请专利范围第1至8项中任一项所述之用以 安装半导体的布线基板,其中该绝缘层之形成包括 : 形成该绝缘层上表面之复数个电极焊垫、一第一 绝缘层以及复数个金属线与介层孔于一第一支撑 基底上之该第一绝缘层内; 形成该绝缘层下表面之复数个电极焊垫、一第二 绝缘层以及复数个金属线与介层孔于一第二支撑 基底上之该第二绝缘层内; 利用固定该第一与该第二绝缘层之方式使彼此整 合;以及 移除整个或部份之该第一、第二支撑基底。 16.如申请专利范围第2项所述之用以安装半导体的 布线基板,其中该形成于该第一绝缘层中之该介层 孔上表面大小与其下表面大小的关系与形成于该 第二绝缘层中之该介层孔上表面大小与其下表面 大小的关系相反。 17.如申请专利范围第16项所述之用以安装半导体 的布线基板,其中该形成于该第一绝缘层中之该介 层孔上表面较其下表面小,且形成于该第二绝缘层 中之该介层孔下表面较其上表面小。 18.一种半导体封装体,包括: 一用以安装半导体的布线基板,如申请专利范围第 1至14项中任一项所述;以及 一半导体装置安装于该布线基板上以形成安装半 导体,该电极焊垫之露出表面设置于该半导体装置 安装之处,用来安装半导体之该金属线基底之复数 个电极焊垫设置在与该绝缘层上或下表面之同一 表面上,或设置于该绝缘层上或下表面延伸之沟槽 中。 19.一种用以安装于主机板上之半导体封装体,包括 : 一布线基板,用以安装半导体,如申请专利范围第1 至14项中任一项所述;以及 一半导体装置,安装于该布线基板上以形成安装半 导体,该电极焊垫之露出表面设置于该半导体装置 安装之处,该布线基板之复数个电极焊垫设置在与 该绝缘层上或下表面之同一表面上,或设置于该绝 缘层上或下表面延伸之沟槽中,当该电极焊垫之露 出表面具有一凸块以连接安装之该母板,其中该母 板系设置于突出该绝缘层之上、下表面之处。 20.一种用以安装半导体的布线基板的制造方法,包 括: 形成具有一支撑基底之两金属线基底,每一该金属 线基底之形成方式包括: 形成一导电层于该支撑基底上以作为电极焊垫; 形成一绝缘层于该导电层上; 形成一或多个中间层于该绝缘层上,该每一中间层 之形成方式包括: 形成复数个介层孔于该绝缘层中; 形成一金属线于该绝缘层上;以及 形成其他绝缘层于该金属线上; 形成复数个介层孔于该中间层中以形成该一或复 数个中间层之顶层表面;以及 填充导体于该些介层孔中以形成复数个导电柱; 固定该中间层以使具有一支撑基底之该两金属线 基底之顶层表面,呈面对面(face-to-face)之状态;以及 移除部份或全部之该支撑基底。 21.一种用以安装半导体的布线基板的制造方法,包 括: 形成具有一支撑基底之两金属线基底,每一该金属 线基底之形成方式包括: 形成一导电层于该支撑基底上以作为电极焊垫; 形成一绝缘层于该导电层上; 形成一或多个中间层于该绝缘层上,该每一中间层 之形成方式包括: 形成复数个介层孔于该绝缘层中; 形成一金属线于该绝缘层上;以及 形成其他绝缘层于该金属线上; 形成复数个介层孔于该中间层中以形成该一或复 数个中间层之顶层表面; 填充导体于该些介层孔中以形成复数个导电柱;以 及 形成一金属线于该绝缘层上以形成一顶表面; 固定该中间层以使具有一支撑基底之该两金属线 基底之顶层表面,呈面对面(face-to-face)之状态;以及 移除部份或全部之该支撑基底。 22.如申请专利范围第20或21项所述之用以安装半导 体的布线基板的制造方法,更包括于形成该导电层 之前该支撑基底上形成一下层绝缘层。 23.如申请专利范围第20或21项所述之用以安装半导 体的布线基板的制造方法,更包括于形成一开口于 部分之该下层绝缘层中,其中该绝缘层设置于至少 该导电层之一或多个部份上,以于移除部份或全部 之该支撑基底后形成一或多个电极焊垫。 24.如申请专利范围第20或21项所述之用以安装半导 体的布线基板的制造方法,其中该开口系以雷射蚀 刻法或乾蚀刻法形成。 25.如申请专利范围第20或21项所述之用以安装半导 体的布线基板的制造方法,其中该导体是导体糊或 焊料。 26.如申请专利范围第20或21项所述之用以安装半导 体的布线基板的制造方法,其中利用一具有薄层金 属层之支撑基底与以一厚度较前者厚之支撑金属 层作为该支撑基底。 图式简单说明: 第1图系绘示出传统之逐层架构制法基板之剖面图 。 第2A-2C图系绘示出一传统全体薄板化基板制造法 之其他步骤。 第3图系绘示出根据本发明之第一实施例之用以安 装半导体的布线基板之剖面图。 第4A-4C图系分别绘示出根据第一实施例之变化于 用以安装半导体的布线基板之剖面图。 第5A与5B图系绘示出根据第一实施例之其他变化于 用以安装半导体的布线基板之剖面图。 第6A-6C图系绘示出根据本发明之第一实施例之用 以安装半导体的布线基板之剖面图。 第7A-7C图系分别绘示出根据本发明之每一实施例 之半导体封装体之剖面图。 第8A与8B图系分别绘示出根据本发明之第二实施例 之用以安装半导体的布线基板之剖面图。 第9图系绘示出根据本发明之第三实施例之用以安 装半导体的布线基板之剖面图。 第10图系绘示出根据本发明之第四实施例之用以 安装半导体的布线基板之剖面图。 第11图系绘示出根据本发明之第四实施例之用以 安装半导体的布线基板之剖面图。 第12A-12E图系绘示出根据本发明之第五实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之剖面图。 第13A-13C图系绘示出根据本发明之第五实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之剖面图,其 中绘示出第12E图所绘示者之接续步骤。 第14A-14C图系绘示出根据本发明之第五实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之剖面图,其 中绘示出第13C图所绘示者之接续步骤。 第15A-15B图系绘示出根据本发明之第五实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之剖面图。 第16A-16I图系绘示出根据本发明之第六实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之制程步骤 顺序之剖面图。 第17A-17D图系绘示出根据本发明之第七实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之制程步骤 顺序之剖面图。 第18A-18C图系绘示出根据本发明之第七实施例之制 造用以安装半导体之方法的布线基板之制程步骤 顺序之剖面图,其中绘示出第17D图所绘示者之接续 步骤。 |
