发明名称 半穿透反射式液晶显示装置
摘要 一种半穿透反射式液晶显示装置,主要包括一单晶胞间隙面板,且该单晶胞间隙面板下表面系有一反射装置,一第一液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之上方,及一第一偏光片设置于该第一液晶膜上方,一第二液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之下方,及一第二偏光片设置于该第二液晶膜下方。藉此光学架构补偿方式,本发明利用液晶膜搭配一般的单晶胞间隙面板的半透结构,就可完成半穿透反射的光学模式并获得更好的反射对比、穿透对比及具有更高的穿透率的液晶显示装置。
申请公布号 TWI290652 申请公布日期 2007.12.01
申请号 TW094129164 申请日期 2005.08.26
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 吴易骏;刘锦璋;廖文瑞;纪俊吉
分类号 G02F1/1335(2006.01) 主分类号 G02F1/1335(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种半穿透反射式液晶显示装置,包括: 一单晶胞间隙面板,且该单晶胞间隙面板下表面系 有一反射装置; 一第一液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之上方; 一第一偏光片设置于该第一液晶膜上方; 一第二液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之下方; 一第二偏光片设置于该第二液晶膜下方。 2.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该反射装置系为一反射板开孔形成一反 射区域与一穿透区域。 3.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该反射装置系为一金属半透膜。 4.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第一液晶膜及第二液晶膜系为一高分 子液晶膜及一液晶分子层其中之一。 5.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该单晶胞间隙面板之液晶分子之扭转角 为60~90之间;且该单晶胞间隙面板之位相延迟値 为250nm~330nm之间。 6.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第一偏光片之穿透轴角度介于150~ 180 之间。 7.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第一液晶膜的光延迟参数( nd)介于 150~ 210nm之间,其下配向角度为35~ 65之间,扭转角 介于右旋45~ 75之间。 8.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第二偏光片之穿透轴角度介于55~ 85 之间。 9.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第二液晶膜的光延迟参数( nd)介于 140~180nm之间,其下配向角度(rubbing direction)为-10~ - 40之间,扭转角介于右旋35~ 65。 10.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第一液晶膜进一步包括一异方性光学 补偿膜。 11.如申请专利范围第1项之半穿透反射式液晶显示 装置,其中该第二液晶膜进一步包括一异方性光学 补偿膜。 12.一种半穿透反射式液晶显示装置,包括: 一单晶胞间隙面板,且该单晶胞间隙面板下表面系 有一反射装置; 一二分之一波片及一四分之一波片组成之上补偿 板设置于该单晶胞间隙面板之上方; 一第一偏光片设置于该上补偿板上方; 一第二液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之下方; 一第二偏光片设置于该第二液晶膜下方。 13.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该反射装置系为一反射板开孔形成一 反射区域与一穿透区域。 14.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该反射装置系为一金属半透膜。 15.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第二液晶膜系为一高分子液晶膜及 一液晶分子层其中之一。 16.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该单晶胞间隙面板之液晶分子之扭转 角为60~ 90之间;且该单晶胞间隙面板之位相延迟 値为250nm~330nm之间。 17.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第一偏光片之穿透轴角度介于65~ 95之间。 18.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该上补偿板之二分之一波片的光延迟 参数( nd)介于250~290nm之间,其慢轴角度为50~ 80 之间;且该四分之一波片的光延迟参数( nd)介于 140~160nm之间,其慢轴角度为0~20之间。 19.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第二偏光片之穿透轴角度介于75~ 95之间。 20.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第二液晶膜包含一位于上方之液晶 膜及一位于下方之二分之一波片。 21.如申请专利范围第12项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第二液晶膜包含一位于上方之四分 之一波片及一位于下方之液晶膜。 22.一种半穿透反射式液晶显示装置,包括: 一单晶胞间隙面板,且该单晶胞间隙面板下表面系 有一反射装置; 一第一液晶膜设置于该单晶胞间隙面板之上方;及 一第一偏光片设置于该第一液晶膜上方; 一由二分之一波片及四分之一波片组成之下补偿 板设置于该单晶胞间隙面板之下方;及 一第二偏光片设置于该下补偿板下方。 23.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该反射装置系为一反射板开孔形成一 反射区域与一穿透区域。 24.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该反射装置系为一金属半透膜。 25.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第一液晶膜系为一高分子液晶膜及 一液晶分子层其中之一。 26.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该单晶胞间隙面板之液晶分子之扭转 角为60~90之间;且该单晶胞间隙面板之位相延迟 値为250nm~330nm之间。 27.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第一液晶膜包含一位于下方之四分 之一波片及一位于上方之液晶膜。 28.如申请专利范围第22项之半穿透反射式液晶显 示装置,其中该第一液晶膜包含一位于上方之二分 之一波片及一位于下方之液晶膜。 图式简单说明: 第1图,为习知双层液晶盒之结构示意图。 第2图,为习知具垫高层之液晶显示装置之结构示 意图。 第3图,为本发明之第一实施样态之结构示意图。 第4图,为本发明之第二实施样态之结构示意图。 第5图,为本发明之第三实施样态之结构示意图。 第6图,为本发明之第四实施样态之结构示意图。 第7图,为本发明之第五实施样态之结构示意图。 第8图,为本发明之第六实施样态之结构示意图。 第9图,为本发明之第七实施样态之结构示意图。 第10图,为本发明之第八实施样态之结构示意图。 第11图,为本发明之第九实施样态之结构示意图。 第12图,为本发明之第十实施样态之结构示意图。 第13图,为本发明之第十一实施样态之结构示意图 。 第14图,为本发明之第十二实施样态之结构示意图 。 第15图,为本发明之第十三实施样态之结构示意图 。 第16图,为本发明之第十四实施样态之结构示意图 。 第17图,为本发明之第一实施样态之反射率、穿透 率与电压之关系图。 第18图,为本发明之第十一实施样态之反射率、穿 透率与电压之关系图。
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