半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提供一种半导体装置及其制造方法，并以晶圆接合方式捕捉金属诱发结晶复晶矽薄膜中残余金属之方法，其系利用镍金属诱发侧向结晶诱发非晶矽(α-Si)结晶以形成优异性能之低温复晶矽薄膜电晶体。然以目前的结晶技术，通常会使得Ni与NiSi2沉积残余而使得其性能降低。在本发明中系利用已沉积非晶矽之晶圆作为初始的Ni吸气基板。藉由该吸气基板与NILC复晶矽膜的黏合，使其在NILC复晶矽膜中的Ni金属残余物大幅的降低。