光学微影用之高穿透衰减式相位偏移光罩(二) HIGH TRANSMITTANCE ATTENUATED PHASE SHIFT MASK FOR AN OPTICAL LITHOGRAPHY

摘要

本发明系有关于一种光学微影用之高穿透衰减式相位偏移光罩(二)，系使用非平衡磁控溅镀于室温氧气/氩气流量比2.0下完成制备非晶质(ZrO2)x-(SiO2)1-x和(Al2O3)x-(ZrO2)y-(SiO2)1-x-y复合膜，这些复合膜的光学常数随着所对应膜层的莫耳分率呈线性变化，故可藉由调变(Al2O3,ZrO2)于(Al2O3)x-(ZrO2)y-(SiO2)1-x-y复合膜中(x,y)之莫耳分率，可得到满足于ArF准分子雷射微影技术下高穿透衰减式相位偏移光罩膜层(HT-AttPSM)最佳化之穿透率20±5％之光学需求，使ArF准分子雷射(浸入式)微影技术具可达到下三个世代65、45、32nm之技术节点的潜力。