半导体装置之制造方法

摘要

本发明系有关制造于沟底面已设置沟道截断环之台面型半导体装置的半导体装置之制造方法，不需供形成沟道截断环而用的掩膜形成步骤且形成沟之际不需精密的蚀刻技术之半导体装置的制造方法。其特征在于依序包括：自第1主面侧形成越过pn接面深度的沟18之沟形成步骤、至少供给n型杂质20于沟18之底面的杂质供给步骤、以照射雷射于沟18之底面使n型杂质20扩散至第1半导体层10之内部以形成沟道截断环22的沟道截断环形成步骤及于沟18之内部形成钝化层28的钝化层形成步骤。