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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本实施例提供了一种半导体装置以及制造半导体装置的方法,半导体装置包括基底,此基底包括多个主动区域以及多个隔离区域,此隔离区域位于相邻主动区域之间,每一主动区域包括凹槽,凹槽的底面位于主动区域的上表面的下方。
申请公布号
TW200744218
申请公布日期
2007.12.01
申请号
TW096113622
申请日期
2007.04.18
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
朱京中;金汉洙
分类号
H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01)
主分类号
H01L29/792(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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