发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本实施例提供了一种半导体装置以及制造半导体装置的方法,半导体装置包括基底,此基底包括多个主动区域以及多个隔离区域,此隔离区域位于相邻主动区域之间,每一主动区域包括凹槽,凹槽的底面位于主动区域的上表面的下方。
申请公布号 TW200744218 申请公布日期 2007.12.01
申请号 TW096113622 申请日期 2007.04.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朱京中;金汉洙
分类号 H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L29/792(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国