发明名称 半导体晶片结构
摘要 一种半导体晶片结构,包含有一顶层金属层,以及位于顶层金属层下方之一内层介电层。顶层金属层具有一焊垫区域,以及一非焊垫区域。内层介电层包含有至少一第一介层窗配置于焊垫区域下方,以及复数个第二介层窗配置于非焊垫区域下方。第一介层窗之尺寸远大于第二介层窗之尺寸,以提高焊垫可靠度。第一介层窗可为矩形、正方形,或多边形。顶层金属层具有一预定厚度,以提高打线接合之良率。
申请公布号 TW200744177 申请公布日期 2007.12.01
申请号 TW095117362 申请日期 2006.05.16
申请人 慧荣科技股份有限公司 发明人 陈德威
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹县竹北市台元街20之1号