发明名称 薄膜电晶体基板、液晶显示面板、半穿透半反射型液晶显示器及其制造方法
摘要 一种薄膜电晶体基板包含一透明基板、至少一薄膜电晶体、一绝缘层及一像素电极。该薄膜电晶体系配置于该透明基板上,并包含一闸极绝缘膜。该绝缘层系配置于该闸极绝缘膜上,并覆盖该薄膜电晶体,其中该绝缘层具有一凹凸表面、一接触孔及一光穿透区域,且该光穿透区域系直接位于该闸极绝缘膜上。该像素电极系配置于该绝缘层之凹凸表面及该光穿透区域上,并藉由该接触孔电性连接于该薄膜电晶体。
申请公布号 TWI290771 申请公布日期 2007.12.01
申请号 TW095100027 申请日期 2006.01.02
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 陈泰源;林淑惠;林小萍
分类号 H01L29/786(2006.01);G02F1/133(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种薄膜电晶体基板,包含: 一透明基板; 至少一薄膜电晶体,配置于该透明基板上,并包含 一闸极绝缘膜; 一绝缘层,配置于该闸极绝缘膜上,并覆盖该薄膜 电晶体,其中该绝缘层具有一凹凸表面、一接触孔 及一光穿透区域,且该光穿透区域系直接位于该闸 极绝缘膜上;以及 一像素电极,配置于该绝缘层之凹凸表面及该光穿 透区域上,并藉由该接触孔电性连接于该薄膜电晶 体。 2.依申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中该 绝缘层系藉由一灰阶光罩及微影蚀刻制程而具有 该凹凸表面、接触孔及光穿透区域。 3.依申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中该 绝缘层系为有机材料或无机材料所制。 4.依申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中该 像素电极系为导电及半反射半穿透之材质所制。 5.依申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中该 像素电极包含一透明电极及一半反射半穿透膜。 6.依申请专利范围第5项之薄膜电晶体基板,其中: 该透明电极系配置于该绝缘层之凹凸表面及该光 穿透区域上,并藉由该接触孔电性连接于该薄膜电 晶体;以及 该半反射半穿透膜系配置于该整个透明电极上。 7.依申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中该 像素电极包含一透明电极及一反射膜。 8.依申请专利范围第7项之薄膜电晶体基板,其中: 该透明电极系配置于该绝缘层之凹凸表面及该光 穿透区域上,并藉由该接触孔电性连接于该薄膜电 晶体;以及 该反射膜系配置于该透明电极上,并裸露出位于该 光穿透区域之透明电极。 9.依申请专利范围第2项之薄膜电晶体基板,其中该 灰阶光罩系为一狭缝遮罩。 10.依申请专利范围第2项之薄膜电晶体基板,其中 该薄膜电晶体另包含一辅助电容线,该闸极绝缘膜 及该绝缘层系位于该辅助电容线与该像素电极之 间,以界定该储存电容绝缘层,且藉由相同的该灰 阶光罩及微影蚀刻制程使位于该辅助电容线与该 像素电极之间该储存电容绝缘层具有一预定厚度 。 11.依申请专利范围第10项之薄膜电晶体基板,其中 该储存电容绝缘层之该预定厚度系介于该绝缘层 最大厚度及该闸极绝缘层厚度总和与该闸极绝缘 层厚度之间。 12.一种薄膜电晶体基板制造方法,包含下列步骤: 提供一透明基板; 将至少一薄膜电晶体形成于该透明基板上,其中该 薄膜电晶体包含一闸极绝缘膜; 将一绝缘层配置于该闸极绝缘膜上,并覆盖该薄膜 电晶体; 将该绝缘层图案化而形成有凹凸表面之结构及一 接触孔,同时亦形成有一光穿透区域,其中该光穿 透区域系直接位于该闸极绝缘膜上;以及 将一像素电极形成于该绝缘层之凹凸表面及该光 穿透区域上,如此以形成该薄膜电晶体基板之一像 素区域,其中该像素电极系藉由该接触孔电性连接 于该薄膜电晶体,位于该绝缘层之凹凸表面上之该 像素电极具有类似凹凸表面之外形。 13.依申请专利范围第12项之薄膜电晶体基板制造 方法,其中该绝缘层系藉由一灰阶光罩及一微影蚀 刻制程图案化而形成有凹凸表面之结构及接触孔, 同时亦形成有该光穿透区域。 14.依申请专利范围第13项之薄膜电晶体基板制造 方法,另包含下列步骤: 将一辅助电容线同时形成于该透明基板上; 将该闸极绝缘膜同时覆盖该辅助电容线;以及 同时藉由相同的该灰阶光罩及微影蚀刻制程,位于 该辅助电容线上方之一储存电容绝缘层具有一预 定厚度,其中该闸极绝缘膜及该绝缘层系位于该辅 助电容线与该像素电极之间,以界定该储存电容绝 缘层。 15.依申请专利范围第14项之薄膜电晶体基板制造 方法,其中该储存电容绝缘层之该预定厚度系介于 该绝缘层最大厚度及该闸极绝缘层厚度总和与该 闸极绝缘层厚度之间。 16.一种液晶显示面板,包含: 一上基板; 一薄膜电晶体基板,包含: 一透明基板; 至少一薄膜电晶体,配置于该透明基板上,并包含 一闸极绝缘膜; 一绝缘层,配置于该闸极绝缘膜上,覆盖该薄膜电 晶体,其中该绝缘层具有一凹凸表面、一接触孔及 一光穿透区域,且该光穿透区域系直接位于该闸极 绝缘膜上;以及 一像素电极,配置于该绝缘层之凹凸表面及该光穿 透区域上,并藉由该接触孔电性连接于该薄膜电晶 体;以及 一液晶层配置于该薄膜电晶体基板与一上基板之 间,如此以形成一液晶显示面板。 17.一种半穿透半反射型液晶显示器装置,包含依申 请专利范围第16项所述之液晶显示面板。 18.一种液晶显示面板制造方法,包含下列步骤: 提供一透明基板; 将至少一薄膜电晶体形成于该透明基板上,其中该 薄膜电晶体包含一闸极绝缘膜; 将一绝缘层配置于该闸极绝缘膜上,并覆盖该薄膜 电晶体; 将该绝缘层系图案化而形成有凹凸表面之结构及 一接触孔,同时亦形成有一光穿透区域,其中该光 穿透区域系直接位于该闸极绝缘膜上; 将一像素电极形成于该绝缘层之凹凸表面及该光 穿透区域上,如此以形成该薄膜电晶体基板之一像 素区域,其中该像素电极系藉由该接触孔电性连接 于该薄膜电晶体,位于该绝缘层之凹凸表面上之该 像素电极具有类似凹凸表面之外形;以及 将一液晶层配置于该薄膜电晶体基板与一上基板 之间,如此以形成该液晶显示面板。 19.一种半穿透半反射型液晶显示器制造方法,包含 依申请专利范围第18项所述之液晶显示面板制造 方法。 图式简单说明: 第1图为先前技术之一习知液晶显示器装置之剖面 示意图。 第2图为先前技术之另一习知液晶显示器装置之剖 面示意图 第3图为本发明之一实施例之液晶显示器装置之剖 面示意图。 第4图为本发明之一替代实施例之液晶显示器装置 之剖面示意图。 第5图为本发明之另一替代实施例之液晶显示器装 置之剖面示意图。 第6至10图为本发明之一实施例之液晶显示器装置 制造方法之剖面示意图。
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