发明名称 FEUTRE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE
摘要 <p>L'invention concerne un feutre de polissage approprié pour planariser au moins un substrat parmi les substrats semiconducteurs, optiques et magnétiques, qui comprend une matrice polymère (12) ayant une surface de polissage supérieure (14) ayant des aspérité de polissage polymères (16) ou formant des aspérités de polissage polymères par conditionnement avec un abrasif, les aspérités de polissage polymères s'étendant depuis la matrice polymère et faisant partie de la surface de polissage supérieure qui peut entrer en contact avec un substrat, le feutre de polissage (10) formant des aspérités de polissage polymères supplémentaires à partir de la matrice polymère avec l'usure ou le conditionnement de la surface de polissage supérieure, et les aspérités de polissage polymères étant en un matériau polymère ayant au moins 45 % en masse de segment dur et une résistance à la traction ultime apparente d'au moins 44,8 MPa (6500 psi) et la matrice polymère ayant une structure à deux phases, une phase dure et une phase molle, la structure à deux phases ayant un rapport de l'aire moyenne de la phase dure à l'aire moyenne de la phase molle inférieur à 1,6.</p>
申请公布号 FR2901499(A1) 申请公布日期 2007.11.30
申请号 FR20070055268 申请日期 2007.05.25
申请人 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC 发明人 KULP MARY JO
分类号 B24D3/26;B24D3/22;B24D13/14;C09G1/02 主分类号 B24D3/26
代理机构 代理人
主权项
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