NON-VOLATILE MEMORY CELL OF A CIRCUIT INTEGRATED IN A SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR PRODUCING IT, AND USE OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL

摘要

Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speicherzelle in einem Halbleiterplättchen bei dem eine Gate-Elektrode (40) ausgebildet wird, ein Lesebereich (30) ausgebildet wird, der mit der Gate-Elektrode (40) eine Transistoranordnung bildet, ein erster Programmierbereich (10) ausgebildet wird, der mit der Gate-Elektrode (40) einen erste Kondensator bildet, ein zweiter Programmierbereich (20) ausgebildet wird, der mit der Gate-Elektrode (40) einen zweiten Kondensator bildet, und ein dielektrischer Isolator (50) aufgebildet wird, der die Gate-Elektrode (40) von dem Lesebereich (30) und von dem ersten Programmierbereich (10) und von dem zweiten Programmierbereich (20) isoliert, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Elektrode (40) auf den dielektrischen Isolator (50, 531 , 532, 533) sowohl oberhalb des Lesebereichs (30) als auch oberhalb des ersten Programmierbereichs (10) als auch oberhalb des zweiten Programmierbereichs (40) als leitende Schicht (41 , 42, 43) aufgebracht wird.