METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER BY ETCHING

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) ortsabhängige Messung eines die Halbleiterscheibe charakterisierenden Parameters, um den ortsabhängigen Wert dieses Parameters auf einer gesamten Fläche der Halbleiterscheibe zu ermitteln, b) Aufbringen eines Ätzmediums mit einer Viskosität von 50 mPas bis 2000 mPas auf diese gesamte Fläche der Halbleiterscheibe, c) Ätzbehandlung dieser gesamten Fläche der Halbleiterscheibe durch Einwirkung des Ätzmediums unter gleichzeitiger Belichtung dieser gesamten Fläche, wobei die Abtragsrate der Ätzbehandlung von der Lichtintensität an der Fläche der Halbleiterscheibe abhängig ist, und wobei die Lichtintensität ortsabhängig so vorgegeben wird, dass die Unterschiede in den in Schritt a) gemessenen ortsabhängigen Werten des Parameters durch die ortsabhängige Abtragsrate verringert werden, und d) Entfernung des Ätzmediums von der Fläche der Halbleiterscheibe. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.