Halbleitervorrichtung mit verbessertem Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine erste Basisschicht vom n-Typ (2) ist auf einem Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gebildet, und eine zweite Basisschicht vom p-Typ (3) ist darauf gebildet. Zwischen der ersten Basisschicht und der zweiten Basisschicht ist eine Trägerspeicherschicht (4) gebildet. Die Trägerspeicherschicht hat eine Dotierungsschicht hoher Konzentration (4a) und eine Dotierungsschicht niedriger Konzentration (4b). Die Dotierungsschicht hoher Konzentration hat eine Dicke von 1,5 µm oder mehr und eine Dotierungskonzentration durch sie hindurch ist über die gesamte Schicht 1,0*10¹⁶ cm^-3 oder mehr.