| 主权项 |
1.一种圆形光束边射型雷射,其包含: 一基板;及 一磊晶结构,形成于该基板之上表面并构成一脊状 波导,该磊晶结构系依序堆叠一下包覆层、一下光 波导层、一发光层、一上光波导层、一上包覆层 及一电极接触层所组成,发光层系由含有稀微氮化 物之一低载子迁移率材料所形成,该脊状波导系由 该磊晶结构表面蚀刻至穿过该发光层所形成。 2.如申请专利范围第1项所述之圆形光束边射型雷 射,其中该低载子迁移率材料系为InvGawAl1-v- wAsxPyNzSb1-x-y-z 材料,其中0 < v,w,x,y,z < 1。 3.如申请专利范围第1项所述之圆形光束边射型雷 射,其中该脊状波导之顶端表面系形成一上电极层 ,该基板之下表面则形成一下电极层,使电流局限 于通过该脊状波导包含之该发光层。 4.如申请专利范围第1项所述之圆形光束边射型雷 射,其中该上电极层系p型金属所形成,该下电极层 系n型金属所形成。 5.如申请专利范围第1项所述之圆形光束边射型雷 射,其中该脊状波导系藉由光微影和蚀刻方式形成 。 图式简单说明: 第1图为本发明实施例之磊晶结构示意图; 第2图为本发明实施例之磊晶结构蚀刻示意图; 第3图为本发明实施例之结合电极示意图; |
