倍频天线结构

摘要

本创作系提供一种倍频天线结构，其包含：一基板，该基板设有第一表面及第二表面；一辐射体，该辐射体设于基板之第一表面，该辐射体设有一片以上第一微带金属片、一片以上第二微带金属片及一条以上微带金属线，该第一微带金属片面积以递增方式向上延伸，该微带金属线串接于两两第一微带金属片间，该第二微带金属片以倒T状并以该微带金属线串接于第一微带金属片末端；一片共振元件，该共振元件设于基板之第二表面，该共振元件与第一表面之辐射体相对应，该共振元件面积略大于辐射体之面积；俾藉由该共振元件与辐射体相对应，俾可耦合抵消辐射体之等效阻抗，俾达阻抗匹配，进而使低频与高频之驻波比可更为相近，俾使本创作可在低频与高频皆有较佳频率响应及较佳增益，进而达到倍频天线之目的者。

主权项

1.一种倍频天线结构,其包含: 一基板,该基板设有第一表面及第二表面; 一辐射体,该辐射体设于基板之第一表面,该辐射 体设有一片以上第一微带金属片、一片以上第二 微带金属片及一条以上微带金属线,该微带金属线 串接于俩俩第一微带金属片间,该第二微带金属片 以倒T状串接,该第二微带金属片以微带金属线串 接于第一微带金属片末端; 一片共振元件,该共振元件设于基板之第二表面, 该共振元件与辐射体相对应。 2.如申请专利范围第1项所述之倍频天线结构,其中 该第一微带金属片面积以递增方式向上延伸。 3.如申请专利范围第1项所述之倍频天线结构,其中 该共振元件面积略大于辐射体之面积。 图式简单说明: 第一图系为一般倍频天线结构之高低频率之驻波 比模拟测试图。 第二图系为本创作之第一表面示意图。 第三图系为本创作之第二表面示意图。 第四图系为本创作之辐射体与共振元件对应示意 图。 第五图系为本创作之高低频率之驻波比模拟测试 图。 第六图系为本创作之测试于824MHz天线辐射场形图 。 第七图系为本创作之测试于892MHz天线辐射场形图 。 第八图系为本创作之测试于960MHz天线辐射场形图 。 第九图系为本创作之测试于1710MHz天线辐射场形图 。 第十图系为本创作之测试于1990MHz天线辐射场形图 。 第十一图系为本创作之测试于2170MHz天线辐射场形 图。