| 主权项 |
1.一种具有抗突波与静电之二极体结构,其包含有: 一二极体晶片,其包含;以及 一基板; 一N型半导体层,设置于该基板之上; 一发光层,设置于部分该N型半导体层之上; 一P型半导体层,设置于该发光层之上; 一透明导电层,设置于部分该P型半导体层之上; 一氧化层,设置于该透明导电层之上,且仅覆盖部 分该正电极以及部分该负电极; 一正电极,设置于部分该透明导电层与该P型半导 体层之上;及 一负电极,设置于部分该N型半导体层之上; 一静电保护层,设置于该氧化层之上,且仅覆盖部 分该正电极以及部分该负电极; 其中,若该正电极系接收超过一二极体之操作电压 之偏压电压,该静电保护层提供偏压电压所衍生之 突波电流从该负电极传导至该正电极或该静电保 护层将突波电流从该正电极传导至该负电极后导 出,以消除突波与静电效应。 2.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 正电极若为接接收一二极体之操作电压,则该操作 电压之电流即为一工作电流从该正电极经该透明 导电层、该P型半导体层、该发光层、N型半导体 层传导至该负电极后导出。 3.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 氧化层之材料系为选自于二氧化矽、一氧化矽、 四氮化矽、氮化物、非晶体半导体、非结晶体半 导体及上述之任意组合之其中之一。 4.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 基板材料系为选自于Ⅲ-V族、Ⅱ-VI族、IV族、IV-IV 族及上述之任意组合之其中之一。 5.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 N型半导体层系为N型氮化镓系半导体。 6.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 P型半导体层系为P型氮化镓系半导体。 7.如申请专利范围第1项所述之二极体结构,其中该 静电保护层之材料可为选自于氧化锌、氧化镍、 二氧化钛、氧化物、变阻材料、压电材料、铁电 材料、陶瓷材料及上述之任意组合之其中之一。 8.一种具有抗突波与静电之二极体结构,其包含有: 一发光二极体晶片,其包含;以及 一基板; 一N型半导体层,设置于该基板之上; 一发光层,设置于一部份该N型半导体层之上; 一P型半导体层,设置于该发光层之上; 一透明导电层,设置于该P型半导体层之上; 一正电极,设置于该透明导电层之上;及 一负电极,设置于该N型半导体层之上; 一静电保护层,设置于该发光二极体晶片之上,且 仅覆盖部分该正电极以及部份该负电极,以促使突 波电流从负电极传导至该正电极或突波电流从正 电极传导至该负电极后导出,以消除突波与静电效 应。 9.如申请专利范围第8项所述之二极体结构,其中该 基板材料系为选自于Ⅲ-Ⅴ族之化学元素、Ⅱ-Ⅵ 族之化学元素、Ⅳ族之化学元素、Ⅳ-Ⅳ族之化学 元素及上述之任意组合之其中之一。 10.如申请专利范围第8项所述之二极体结构,其中 该N型半导体层系为N型氮化镓系半导体。 11.如申请专利范围第8项所述之二极体结构,其中 该P型半导体层系为P型氮化镓系半导体。 12.如申请专利范围第8项所述之二极体结构,其中 该静电保护层可为选自于氧化锌、氧化镍、二氧 化钛、氧化物、变阻材料、压电材料、铁电材料 、陶瓷材料及上述之任意组合之其中之一。 13.一种具有抗突波与静电之二极体制程方法,其步 骤包含有: 提供一发光二极体晶片,其制造方法之步骤包含; 以及 提供一基板; 形成一N型半导体层于该基板之上; 形成一发光层于该N型半导体层一部分之上; 形成一P型半导体层于该发光层之上; 形成一透明导电层于该P型半导体层之上;及 形成一正电极与一负电极分别于该透明导电层与 该N型半导体层; 形成一静电防护层于该二极体晶片之上,并仅覆盖 部分该正电极与该部分负电极。 14.如申请专利范围第13项所述之二极体结构制程 方法,其中形成一静电保护层之步骤前,更包含有 一步骤,其系形成一氧化层。 15.如申请专利范围第14项所述之二极体结构制程 方法,其中该氧化层之材料系为选自于二氧化矽、 一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体及 非结晶体半导体之其中之一。 16.如申请专利范围第13项所述之二极体结构制程 方法,其所利用之方式可为选自于化学气相磊晶法 (Chemical Vapor Deposition,CVD)、有机金属化学气相磊晶 法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)、离子增 强化学气相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、溅镀法(Sputter)、电子枪蒸镀法( Electron Gun Evaporation)及热阻丝蒸镀法(Thermal Evaporation)之其中之一,以形成该静电保护层。 图式简单说明: 第一图系习知具抗静电之发光二极体的结构示意 图; 第二图系本发明之一较佳实施例之二极体结构的 结构示意图; 第三图系第二图之二极体结构的电流路径图; 第四图系第二图之二极体结构的相关波形图; 第五图系本发明之另一较佳实施例之二极体结构 的剖面示意图; 第六A图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六B图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六C图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六D图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六E图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六F图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图; 第六G图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图;以及 第六H图系本发明之二极体制程之部分实施步骤的 示意图。 |
