发明名称 低潜伏期光学记忆体滙流排
摘要 本发明的实施例包括用以与一记忆体进行通讯的一积体电路。该积体电路具有一光学发送器以及耦合至该积体电路之光学发送器的一光学汇流排。N个光学接收器系透过N个光学耦合器耦合至该光学汇流排。N个记忆体模组系耦合至该等N个光学接收器。M个记忆体装置则耦合至该等N个记忆体模组。该光学发送器将把一信号从一第一电气信号转换为一光学信号以供与该等N个记忆体装置进行通讯。该光学汇流排将传播该光学信号。各个该等N个光学耦合器把来自该光学汇流排之该光学信号的N分之一耦合于该等N个光学接收器中之每一个,各个该等光学接收器针对其相关联记忆体装置把该光学信号的其N分之一转换为一电气信号。
申请公布号 TWI290244 申请公布日期 2007.11.21
申请号 TW093140512 申请日期 2004.12.24
申请人 英特尔公司 发明人 莫洛威;伯尼特
分类号 G02B6/43(2006.01);G02B6/255(2006.01);G02B6/12(2006.01);G06F13/16(2006.01) 主分类号 G02B6/43(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种装置,其包含: 用以与一记忆体进行通讯的一积体电路,该积体电 路具有一光学发送器; 耦合至该光学发送器的一光学滙流排; 透过N个光学耦合器耦合至该光学滙流排的N个光 学接收器; 耦合至该等N个光学接收器的N个记忆体模组;以及 耦合至该等N个记忆体模组的一个或多个记忆体装 置,该光学发送器用以把一信号从一第一电气信号 转换为一光学信号以与该等记忆体装置进行通讯, 该光学滙流排用以传播该光学信号,该等N个光学 耦合器各用以把来自该光学滙流排之该光学信号 的N分之一耦合于其相关联光学接收器,各个光学 接收器用以把该光学信号的其N分之一转换为第二 组电气信号,该等N个记忆体模组用以把该第二组 电气信号耦合至该等记忆体装置。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该积体电路为 一记忆体控制器。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该积体电路为 一处理器。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该光学滙流排 包括一波导、光纤或自由空间中之至少一个。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该光学发送器 包括一雷射。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该等耦合器为 方向性耦合器。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该等方向性耦 合器包括一波导或一光纤。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该等耦合器为 自由空间耦合器。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中该等自由空间 耦合器为分光器。 10.一种包含机器可存取媒体的制造物品,该机器可 存取媒体包括有由一机器存取时使该机器进行下 列操作的资料: 把一信号从一第一电气信号转换为一光学信号以 供与记忆体装置进行通讯; 在一光学滙流排上把该光学信号传播到N个光学耦 合器; 把来自该光学滙流排之该光学信号的N分之一耦合 于N个光学接收器中之每一个; 各个光学接收器把该光学信号的其N分之一转换为 一第二组电气信号;以及 透过N个记忆体模组把该第二组电气信号耦合至一 个或多个记忆体装置。 11.如申请专利范围第10项之制造物品,其中该机器 可存取媒体另包括可使该机器进行在一波导或光 纤上传递该光学信号之操作的资料。 12.如申请专利范围第11项之制造物品,其中该机器 可存取媒体另包括可使该机器进行透过一方向性 耦合器把来自该光学滙流排之该光学信号的N分之 一耦合至各个N个光学接收器之操作的资料。 13.如申请专利范围第10项之制造物品,其中该机器 可存取媒体另包括可使该机器进行透过自由空间 来传递该光学信号之操作的资料。 14.如申请专利范围第13项之制造物品,其中该机器 可存取媒体另包括可使该机器进行透过一分光器 把来自该光学滙流排之该光学信号的N分之一耦合 至各个N个光学接收器之操作的资料。 15.一种装置,其包含: 用以与一积体电路进行通讯的一个或多个记忆体 装置,该积体电路具有一光学接收器; 耦合至该等记忆体装置的N个记忆体模组; 耦合至该等N个记忆体模组的N个光学发送器;以及 耦合至该光学接收器的一光学滙流排, 该等N个光学发送器各用以把一信号从一电气信号 转换为一光学信号以供与该积体电路进行通讯,该 光学滙流排用以传播该光学信号到该光学接收器, 该光学接收器用以把该光学信号转换为电气信号 。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中该积体电路 为一记忆体控制器。 17.如申请专利范围第15项之装置,其中该积体电路 为一处理器。 18.如申请专利范围第15项之装置,其中该光学滙流 排包括一波导、光纤或自由空间中之至少一个。 19.如申请专利范围第15项之装置,其中该光学接收 器包括一光检测器。 20.如申请专利范围第15项之装置,其中该等耦合器 为方向性耦合器。 21.如申请专利范围第20项之装置,其中该等方向性 耦合器包括一波导或一光纤。 22.一种系统,其包含: 用以与一记忆体进行通讯的一积体电路,该积体电 路具有一光学发送器、耦合至该光学发送器的一 光学滙流排、透过N个光学耦合器耦合至该光学滙 流排的N个光学接收器、耦合至该等N个光学接收 器的N个记忆体模组、以及耦合至该等N个记忆体 模组的一个或多个记忆体装置,该光学发送器用以 把一信号从一第一电气信号转换为一光学信号以 供与该等记忆体装置进行通讯,该光学滙流排用以 传播该光学信号,该等N个光学耦合器各用以把来 自该光学滙流排之该光学信号的N分之一耦合于其 相关联光学接收器,各个光学接收器用以把该光学 信号的其N分之一转换为第二组电气信号,该等N个 记忆体模组用以把该第二组电气信号耦合至该等 记忆体装置;以及 耦合至该积体电路的一图形控制器。 23.如申请专利范围第22项之系统,其中该积体电路 为一记忆体控制器。 24.如申请专利范围第22项之系统,其中该积体电路 为一处理器。 25.一种系统,其包含: 用以与一积体电路进行通讯的一个或多个记忆体 装置,该积体电路具有一光学接收器、耦合至该等 记忆体装置的N个记忆体模组、耦合至该等N个记 忆体模组的N个光学发送器、以及耦合至该光学接 收器的一光学滙流排,该等N个光学发送器各用以 把一信号从一电气信号转换为一光学信号以供与 该积体电路进行通讯,该光学滙流排用以传播该光 学信号到该光学接收器,该光学接收器用以把该光 学信号转换为电气信号;以及 耦合至该积体电路的一图形控制器。 26.如申请专利范围第25项之系统,其中该积体电路 为一记忆体控制器。 27.如申请专利范围第25项之系统,其中该积体电路 为一处理器。 图式简单说明: 第1图为一高阶概要图,其根据本发明的一实施例 展示出一种记忆体子系统; 第2图为一流程图,其根据本发明的一实施例展示 出一种用以操作第1图之记忆体子系统的方法; 第3图为一流程图,其根据本发明的一替代实施例 展示出一种用以操作第1图之记忆体子系统的方法 ; 第4图为一高阶概要图,其根据本发明的一实施例 展示出一种电脑系统;以及 第5图为一高阶概要图,其根据本发明的一替代实 施例展示出一种记忆体子系统。
地址 美国