非易失性存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法。该存储单元能够在第一方向上写入并在第二方向上读取。该存储单元包括位于源极或者漏极、或者源极和漏极两者附近的一个或者两个电荷俘获区域。在编程操作中，电子可以通过热电子注入而注入到所述电荷俘获区域中。在擦除操作中，空穴可以被注入到所述电荷俘获区域中。本发明的实施例包括一个仅被控制栅重叠一定程度的电荷俘获区域，在该区域中，在编程操作中，注入的电子以后可以通过将空穴注入到该电荷俘获区域中而得以擦除。

主权项

1.一种非易失性存储单元，包括：一个衬底，该衬底具有一个形成于其中的源极区域，一个形成于其中的漏极区域，以及一个位于源极区域与漏极区域之间的沟道区域；一个俘获结构，该俘获结构设置于源极区域或者漏极区域中的所选的一个区域的一部分上，该俘获结构包括：一个隧穿层，该隧穿层被设置在所述衬底的第一部分上，所述衬底的第一部分从该选定区域向沟道区域延伸，一个电荷俘获层，该电荷俘获层成形在该隧穿层上，以及一个阻挡层，该阻挡层成形在电荷俘获层上；一个栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置于所述衬底的第二部分上，所述衬底的第二部分从该衬底的第一部分向未选定区域延伸；以及一个栅极，该栅极设置于该俘获结构和该栅极绝缘层上。