薄膜晶体管和平面显示装置的半导体结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管结构的制作方法，其包含下列步骤。首先，在基板上形成图案化堆叠层，包含有第一导电层、第一介电层、沟道层、保护层与第一光致抗蚀剂层。接着，去除图案化第一光致抗蚀剂层的外环部分，并去除暴露的保护层与部分沟道层。移除残留的光致抗蚀剂层，再以图案化保护层为掩模，掺杂暴露部分的沟道层。在第一导电层与第一介电层的侧壁形成侧壁间隙壁，并形成导线电性连接沟道层。以图案化保护层与导线为掩模，去除暴露的沟道层。

主权项

1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，至少包含下列步骤：在基板上形成图案化堆叠层，包括由下而上堆叠的第一导电层、第一介电层、沟道层、保护层与第一光致抗蚀剂层；去除图案化第一光致抗蚀剂层的外环部分，形成图案化第二光致抗蚀剂层；以该图案化第二光致抗蚀剂层为掩模，去除暴露的该保护层，露出部分该沟道层；去除该图案化第二光致抗蚀剂层；以该图案化保护层为掩模，掺杂暴露部分的该沟道层；在该第一导电层与该第一介电层的侧壁形成侧壁间隙壁；在该图案化保护层两侧分别形成第一导线与第二导线，电性连接该沟道层；以及以该图案化保护层与该第一导线与第二导线为掩模，去除暴露的该沟道层。