采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构

摘要

一种非易失存储器阵列，包括：多个字线，多个位线，多个源极线和多个非易失存储器单元。该多个存储器单元中至少一个子集中的每一个具有与多个字线之一相连的第一端子、与多个位线之一相连的第二端子以及与多个源极线之一相连的第三端子。至少一个该存储器单元包括：用于存储该存储器单元的逻辑状态的双极可编程存储元件，该双极可编程存储元件的第一端子与相应的第一位线和相应的第一源极线之一相连；以及金属氧化物半导体器件，其包括第一和第二源极/漏极和栅极。第一源极/漏极与双极可编程存储元件的第二端子相连，第二源极/漏极与相应位线/源极线对的第二线相连，并且该栅极与相应的一个字线相连。至少对于该多个存储器单元中的子集而言，与给定字线相连的每对相邻的存储器单元共用相同的位线或者相同的源极线。

主权项

1.一种非易失存储器阵列，包括：多个字线；多个位线；多个源极线；以及多个非易失存储器单元，该多个存储器单元的至少一个子集中的每一个具有与所述多个字线之一相连的第一端子、与所述多个位线之一相连的第二端子以及与所述多个源极线之一相连的第三端子，至少一个所述存储器单元包括：用于存储该存储器单元的逻辑状态的双极可编程存储元件，该双极可编程存储元件的第一端子与相应的位线/源极线对的第一线相连；以及金属氧化物半导体器件，其包括第一和第二源极/漏极和栅极，该第一源极/漏极与所述双极可编程存储元件的第二端子相连，该第二源极/漏极与相应的位线/源极线对的第二线相连，并且该栅极与相应的一个所述字线相连；其中对于该多个存储器单元中的至少一个子集而言，与给定字线相连的每对相邻的存储器单元共用相同的位线或者相同的源极线。