| 发明名称 | 利用沉积法制备铁电单晶膜结构的方法 | ||
| 摘要 | 通过在可选地抛光成具有离轴晶体结构的由硅或铁电单晶制成的衬底上形成具有钙钛矿晶体结构的电极层，并且通过脉冲激光沉积(PLD)或金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)在其上外延生长铁电单晶层制备了一种铁电单晶的膜结构，在高性能电动和电子部件和器件的制造中可以有利地使用所述铁电单晶的膜结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100350562C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN03825647.9 | 申请日期 | 2003.07.14 |
| 申请人 | 伊布勒光子学公司 | 发明人 | 殷宰焕;李相救;金炯俊;金珉灿 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种制备铁电单晶膜结构的方法，该方法包括以下步骤：(a)在衬底上形成具有钙钛矿晶体结构的材料层来作为电极层，所述衬底是具有离轴晶体结构的铁电单晶衬底，或者是在其表面上具有钙钛矿晶体结构的金属氧化层的硅单晶衬底，并且(b)通过脉冲激光沉积(PLD)或金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)法在该电极层上生长铁电单晶层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||