| 发明名称 | 非晶态高掺杂CO<SUB>x</SUB>Ti<SUB>1－x</SUB>O<SUB>2</SUB>铁磁性半导体薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种非晶态高掺杂Co<SUB>x</SUB>Ti<SUB>1-x</SUB>O<SUB>2</SUB>铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56％。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μ<SUB>B</SUB>，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85％，极向克尔磁光转动角高达0.4度。 | ||
| 申请公布号 | CN100350520C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200510043640.1 | 申请日期 | 2005.06.03 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 颜世申;陈延学;宋红强;刘国磊;梅良模 |
| 分类号 | H01F1/40(2006.01);H01F41/14(2006.01);H01F41/18(2006.01) | 主分类号 | H01F1/40(2006.01) |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宋永吉 |
| 主权项 | 1.一种非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法，该半导体薄膜具有分子通式如下：CoxTi1-xO2，其中，x＝30～56％，薄膜的相结构为无定型的非晶态；所用原材料为下列组合之一：a.纯度为99.9％的Co金属和Ti金属；b.纯度为99.9％的CoO和TiO2；c.纯度为99.9％的Co和TiO2；d.纯度为99.9％的Ti和CoO；利用磁控溅射沉积或激光脉冲沉积设备进行薄膜沉积，将上述原材料组合中的组分交替地以亚纳米厚度沉积在衬底材料上，交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市历城区山大南路27号 | ||