半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

形成于半导体基底上的一种薄膜晶体管，包括一多晶硅层、一栅极绝缘层、一氢原子供应层以及一栅极。多晶硅层形成于半导体基底上，其中多晶硅层的二侧端分别作为薄膜晶体管的源极与漏极，而该多晶硅层的部位则做为薄膜晶体管的通道。栅极绝缘层形成于多晶硅层上，氢原子供应层形成于栅极绝缘层上。其中氢原子供应层供应氢原子至多晶硅层的通道，使该多晶硅层中的多个未饱和键得以形成多个氢键，以避免该等未饱和键降低通道的载体移动效能。而栅极形成于氢原子供应层上表面，且位于通道的正上方。

主权项

1.一种薄膜晶体管，形成于一半导体基底上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一多晶硅层，形成于该半导体基底上，其中该多晶硅层的二侧端分别作为该薄膜晶体管的源极与漏极，而该多晶硅层的中央部位则做为该薄膜晶体管的通道；一栅极绝缘层，形成于该多晶硅层上；一氢原子供应层，形成于该栅极绝缘层上，且该氢原子供应层包括四乙氧基硅；以及一栅极，形成于该氢原子供应层上表面，且位于该通道的正上方。