| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101075659A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710102579.2 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 川岛纪之;野本和正;野元章裕 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L27/28(2006.01) | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，所述方法包括以下步骤：通过印刷在所述栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料；以及进行热处理，以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化而形成所述栅极电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||