| 发明名称 | 制作栅极与蚀刻导电层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供制作栅极的方法与蚀刻导电层的方法。首先，提供一基底，基底表面依序包括一介电层与一导电层。接着于导电层上形成一图案化氮硅层当作图案化硬掩模，且图案化氮硅层的氢含量高于每立方厘米1E 22原子(atoms/cm<SUP>3</SUP>)。随后利用图案化硬掩模当作掩模来蚀刻导电层与介电层。最后，利用一蚀刻溶液去除图案化硬掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101075557A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200610084818.1 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;蔡腾群;廖秀莲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制作栅极的方法，其包括下列步骤：提供基底，该基底表面依序包括介电层与导电层；于该导电层上形成图案化硬掩模，且该图案化硬掩模包括氢含量高于每立方厘米1E 22原子的氮硅化合物；利用该图案化硬掩模当作掩模来蚀刻该导电层与该介电层；以及利用蚀刻溶液去除该图案化硬掩模。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||