| 发明名称 | 包含薄膜晶体管的电子器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造包含薄膜晶体管(42)的电子器件的方法，此方法包含在半导体层(10；20)上形成含氢层(22)，辐照此含氢层以便对此半导体层进行氢化，以及然后在半导体层上形成电极(24；26，28)。为氢提供了扩散长度短的直接路径，从而能够用比较少的高能量密度激光脉冲来进行半导体层的快速氢化。支持用的衬底(12)不被显著地加热，使得此方法特别适用于聚合物衬底上的TFT。半导体层的晶化和氢化能够在同一个辐照步骤中进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100350576C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN03822933.1 | 申请日期 | 2003.09.12 |
| 申请人 | 统宝香港控股有限公司 | 发明人 | N·D·杨;S·Y·永;I·D·弗伦奇;D·J·麦卡洛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种制造包含薄膜晶体管(42)的电子器件的方法，此晶体管包含栅电极(24)以及源电极和漏电极(26和28)；被栅绝缘层(21、22、33)分隔于栅电极的半导体层(10，20)；安排来控制流过源电极与漏电极(26、28)之间的半导体层的沟道区的电流的栅电极(24)，此方法包含下列步骤：(a)-在衬底(12)上形成半导体层(10，20)；(b)-在半导体层上形成含氢层(22)；(c)-用能量束(200)辐照含氢层，以便氢化至少部分半导体层；以及(d)-在半导体层上形成栅电极(24)和/或源电极与漏电极(26，28)。 | ||
| 地址 | 香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 | ||