形成高深宽比连接孔的方法

摘要

本发明公开了一种形成高深宽比连接孔的方法，该方法优化了原来深宽比较小时常用的离子化的金属等离子体IMP技术以淀积Ti层，并利用金属有机物化学气相淀积MOCVD技术形成TiN层，再通过对Ti/TiN层进行快速热退火RTA改善其性能，然后利用脉冲成核层PNL技术填充钨形成孔塞，实现了对于深宽比大于10∶1的高深宽比的连接孔的制备。本发明可以在无需购置新设备的情况下制备出与现有技术性能相当的器件，降低了生产成本，并提高了器件可靠性，降低了反应温度。

主权项

1、一种形成高深宽比连接孔的方法，其特征在于，所述的方法包括：a在绝缘膜上形成孔；b用离子化的金属等离子体IMP方法在所述孔的底部和侧壁形成粘附层；c用金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在所述粘附层表面形成阻挡层；d快速热退火处理；e利用脉冲成核层PNL工艺在所述孔内填充金属形成连接孔。