制造在互连孔的下部侧壁处具有斜面的半导体器件的方法

摘要

制造在互连孔的下部侧壁处具有斜面的半导体器件的方法包括在具有下部导电层的半导体衬底上顺序形成蚀刻终止层和层间电介质层。通过选择性蚀刻层间电介质层露出部分蚀刻终止层。通过除去部分露出的蚀刻终止层在蚀刻终止层内形成台阶。并且，台阶形成在露出的蚀刻终止层的凹陷部分和用层间电介质层覆盖的蚀刻终止层的高出部分之间的边界处。除去部分层间电介质层以露出部分蚀刻终止层的高出部分。并且，各向异性蚀刻露出的凹陷和高出部分，以露出下部导电层并形成具有斜面的互连孔，其中斜面由在互连孔的下部侧壁处的剩余蚀刻终止层构成。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在具有下部导电层的半导体衬底上依序形成蚀刻终止层和层间电介质层；通过选择性蚀刻该层间电介质层暴露出部分该蚀刻终止层；通过除去部分该露出的蚀刻终止层在该蚀刻终止层中形成台阶，该台阶形成在该露出的蚀刻终止层的凹陷部分和用该层间电介质层覆盖的该蚀刻终止层的高出部分之间的边界处；通过除去部分该层间电介质层暴露出部分该高出部分；以及通过各向异性蚀刻该露出的凹陷部分和高出部分从而暴露出该下部导电层，形成在互连孔的下部侧壁处具有斜面的互连孔。