发明名称 | 磁电阻效应元件和磁存储器 | ||
摘要 | 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器,具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括:磁化方向被固定的第一基准层;以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层,该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的部的难磁化轴方向设置的突出部。 | ||
申请公布号 | CN100350498C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
申请号 | CN03155426.1 | 申请日期 | 2003.09.05 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 甲斐正;高桥茂树;上田知正;岸达也;齐藤好昭 |
分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种磁电阻效应元件,其特征在于包括:磁化方向被固定的第一基准层;以及存储层,该存储层的磁化方向随着外部磁场的变化而变化,且具有中央部分的幅度比端部的幅度宽的膜面形状,在上述端部和上述中央部分之间、内侧具有设置圆形的中间细的曲线轮廓。 | ||
地址 | 日本东京都 |