发明名称 磁电阻效应元件和磁存储器
摘要 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器,具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括:磁化方向被固定的第一基准层;以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层,该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的部的难磁化轴方向设置的突出部。
申请公布号 CN100350498C 申请公布日期 2007.11.21
申请号 CN03155426.1 申请日期 2003.09.05
申请人 株式会社东芝 发明人 甲斐正;高桥茂树;上田知正;岸达也;齐藤好昭
分类号 G11C11/15(2006.01);H01L43/08(2006.01) 主分类号 G11C11/15(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种磁电阻效应元件,其特征在于包括:磁化方向被固定的第一基准层;以及存储层,该存储层的磁化方向随着外部磁场的变化而变化,且具有中央部分的幅度比端部的幅度宽的膜面形状,在上述端部和上述中央部分之间、内侧具有设置圆形的中间细的曲线轮廓。
地址 日本东京都