纯金Au的合金键合LED倒装工艺方法

摘要

本发明公开了一种纯金Au的合金键合LED倒装芯片的制备方法，由P－N电极外延片和纯金填充层、合金填充层及带有反射层的硅衬底组成；P－N电极外延片包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成的N－GaN层，在N－GaN层上形成的P－GaN层和发光层(发光层位于N－GaN层和P－GaN层之间)，在P－GaN层表面淀积形成的有利于电流扩散的金属层即透明导电层，由P－GaN层和N－GaN层分别引出的P－N电极，在P－N电极之间生长的隔离层(钝化层)；在本征半导体硅衬底上形成电学隔离层，在该电学隔离层上形成金属反射层；所述P－N电极外延片和带有反射层的硅衬底通过填充纯金和其它合金纯加热法键合进行倒装焊接形成大功率LED倒装芯片。该芯片的制作方法包括调节纯加热倒装焊接键合温度和时间，降低LED的电压和优化芯片的成品率。本发明可使大功率LED倒装芯片降低电压，使LED产生的热量降低，提高倒装芯片的成品率和可靠性。

主权项

1、纯金Au的合金键合LED倒装芯片的特征在于：由P-N电极外延片、纯金填充层、合金填充层、P-N电极之间生长的隔离层(钝化层)及带有反射层的硅衬底组成；P-N电极外延片包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成的N-GaN层，在N-GaN层上形成的P-GaN层和发光层(发光层位于N-GaN层和P-GaN层之间)，在P-GaN层表面淀积形成的有利于电流扩散的金属层即透明导电层，由P-GaN层和N-GaN层分别引出的P-N电极，在P-N电极之间生长的钝化层；所述带有反射层的硅衬底包括在本征半导体硅衬底上形成的电学隔离层，在该电学隔离层上形成的金属反射层；所述P-N电极外延片和带有反射层的硅衬底通过填充纯金和其它合金纯加热法键合进行倒装焊接形成LED倒装芯片。