| 发明名称 | 电子标签芯片 | ||
| 摘要 | 为了扩大电子标签芯片的通信距离，需要降低电子标签芯片的耗电。在SOI(Silicon on Insulator：硅绝缘体)上形成电容和二极管，除去SOI的硅衬底。可降低电子标签芯片的电容和二极管与接地端的寄生电容，从而可降低电子标签芯片的耗电，扩大电子标签芯片的通信距离。 | ||
| 申请公布号 | CN101076887A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200580039855.4 | 申请日期 | 2005.02.16 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 宇佐美光雄 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，是用SOI晶片形成构成电子标签芯片的整流电路的MOS二极管或MOS电容，并除去背面的硅后形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||