| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种包括改善电流驱动特性(增大漏极电流)的场效应晶体管半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入杂质来制作与栅电极对准的半导体区的步骤之前，从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入IV族元素，其深度浅于在制作半导体区的步骤中杂质的注入深度。 | ||
| 申请公布号 | CN101075582A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710110127.9 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 满田胜弘;本多光晴;饭塚朗 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，该半导体器件包含制作在半导体衬底主表面第一区中的n沟道导电型场效应晶体管，和制作在不同于半导体衬底主表面第一区的第二区中的p沟道导电型场效应晶体管，此方法包括以下步骤：制作具有应力的绝缘膜，使之覆盖制作在第一区上的第一栅电极和制作在第二区上的第二栅电极；对栅绝缘膜进行各向异性腐蚀来制作第一栅电极侧壁上的第一侧壁隔层和第二栅电极侧壁上的第二侧壁隔层；以及在掩蔽第一区的状态下对第二区离子注入IV族元素来破坏第二侧壁隔层的结晶性。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||