| 发明名称 | 半导体加工装置用陶瓷覆盖部件 | ||
| 摘要 | 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。 | ||
| 申请公布号 | CN101074473A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710100607.7 | 申请日期 | 2007.03.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;东华隆株式会社 | 发明人 | 小林义之;村上贵宏;原田良夫;竹内纯一;山崎良;小林启悟 |
| 分类号 | C23C4/10(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);B32B5/00(2006.01) | 主分类号 | C23C4/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体加工装置用陶瓷覆盖部件，其特征在于，包括：基材；覆盖在该基材表面的由周期表IIIB族元素的氧化物构成的多孔质层；和设置在该多孔质层上的所述氧化物的二次再结晶层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||